HTCC电路

  高温共烧陶瓷 HTCC（High Temperature co-fired Ceramic），采用材料为钨、钼、钼、锰等高熔点金属发热电阻浆料按照发热电路设计的要求印刷于92～96％的氧化铝流延陶瓷生坯上，4～8％的烧结助剂然后多层叠合，在1500～1600℃下高温下共烧成一体。

  因HTCC烧成温度高，HTCC采用钨、钼、锰等难熔金属材料，这些材料电导率低，会造成信号延迟等缺陷，所以不适合做高速或高频微组装电路的基板。但是，HTCC基板具有结构强度高、热导率高、化学稳定性好和布线密度高等优点，因此在大功率微组装电路中具有广泛的应用前景。

  高温共烧陶瓷中较为重要的是以氧化铝、莫来石和氮化铝为主要成分的陶瓷。

  氧化铝

  氧化铝陶瓷技术是一种比较成熟的微电子封装技术，它 由 92～96%氧 化 铝，外 加 4～8% 的烧结助剂在1500- 1700℃下烧结而成，其导线材料为钨、钼、钼一锰等难熔金属。

该基板技术成熟，介质材料成本低，热导率和抗弯强度较高。但是，氧化铝多层陶瓷基板有下列缺点:

 （1）、介电常数高， 影响信号传输速度的提高； 

 （2）、导体电阻率高， 信号传输损耗较大；

 （3）、热膨胀系数与硅相差较大，从而限制了它在巨型计算机上的应用。

  莫来石

  莫来石的介电常数为 7.3- 7.5， 而氧化铝( 96%) 的介电常数为 9.4， 高于莫来石， 所以莫来石的信号传输延迟时间可比氧化铝小17%左右,并且，莫来石的热膨胀系数与硅很接近，所以这种基板材料得到了快速发展。

  例如日立、Shinko 等公司均开发了莫来石多层陶瓷基板，并且其产品具有良好的性能指标。不过此基板的布线导体只能采用钨、镍、钼等， 电阻率较大而且热导率低于氧化铝基板。

  氮化铝

  对于氮化铝基板来说，由于氮化铝热导率高，热膨胀系数与Si、SiC和GaAs等半导体材料相匹配，其介电常数和介质损耗均优于氧化铝，并且 AlN 是较硬的陶瓷，在严酷的环境条件下仍能很好地工作。

  比如在高温时 AlN 陶瓷依然具有极好的稳定性，因此，氮化铝用作多层基板材料，在国内外都得到了广泛研究并已经取得令人瞩目的进展。