TSV、TGV、TCV技术研发

       TSV、TGV、TCV等穿孔垂直互连技术是通过在芯片、晶圆、转接板等之间制作垂直导通，实现芯片之间互连的技术，它能够使芯片在Z轴方向堆叠的面对最大，芯片之间的互连线最短，外形尺寸最小，并具有缩小封装尺寸，增加高频性能，降低整体功耗，增大可靠性等优势

       公司具备百级高规格净化厂房，拥有完整的先进封装半导体产线，包括深硅刻蚀、超快激光刻蚀、CMP平坦化、深孔溅射、深孔电镀、精密腐蚀等硬件能力，可完成包括TSV、TGV、TCV等多种材料穿孔垂直互连技术研发。其中TSV、TGV最小孔径5um以下，最大深径比20:1；TCV最小孔径30um，最大深径比10:1，孔内实心填充Cu导体材料。